安徽進步半導(dǎo)體科技ANHUI ADVANCED SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
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優(yōu)質(zhì)氮化鎵外延片供應(yīng)商 —— 擁有MOCVD外延生長設(shè)備5臺，可直接提供2~8英寸微波射頻/電力電子應(yīng)用GaN外延材料，年產(chǎn)能GaN外延片3000片。 |
 | 硅基氮化鎵外延片 GaN-on-silicon 4-8inch 硅基氮化鎵外延片，可滿足電力電子級射頻功率器件應(yīng)用 |
 | 多種襯底氮化鎵外延片 Multiple substrate Gan epitaxial wafers 碳化硅、藍寶石、氮化鎵等多種類型襯底的氮化鎵外延片 |
 | GaN電力電子器件 GaN power electronic devices 650V~1200V，10A-40A氮化鎵電力電子器件。 |
質(zhì)量穩(wěn)定，性能突出
外延材料技術(shù)優(yōu)秀
關(guān)鍵指標(biāo)優(yōu)秀
核心技術(shù)，提升價值
擁有多項核心技術(shù)獲多項授權(quán)專利，并發(fā)表多項公開論文及高水平專著
全面評估，歷經(jīng)測試
依托西安電子科技大學(xué)蕪湖研究院，建設(shè)氮化鎵功率器件可靠性測試平臺，具備氮化鎵外延片及功率器件全參數(shù)的測量機極端環(huán)境可靠性評估能力。
自行研發(fā)，更新迭代
整合培訓(xùn)技術(shù)團隊，通過對氮化鎵外延片結(jié)構(gòu)的設(shè)計、制造、更新迭代，完成應(yīng)用于工業(yè)級的氮化鎵產(chǎn)品的設(shè)計、研制、性能調(diào)試和定型。
- MOCVD詳解
- 中國新材料產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展方向——半導(dǎo)體材料
- Si襯底GaN基射頻材料研究
- GaAs及GaN微波毫米波多功能集成電路芯片綜述
表單1
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聯(lián)系電話*
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友情鏈接：西安電子大學(xué)蕪湖研究院 智慧實驗室管理系統(tǒng)
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